K230 硬件设计指南#
1. 芯片概述#
1.1 芯片框图#
图1-1 K230框图
1.2 应用框图#
图1-2为K230门锁应用框图
图1-2 K230门锁方案应用框图
图1-3为词典笔方案应用框图
图1-3 K230词典笔方案应用框图
2. 封装与管脚#
2.1 封装#
2.1.1 信息#
K230的封装信息如下表2-1所示：
器件 |
封装 |
大小 |
Pitch |
|---|---|---|---|
K230 |
VFBGA390 |
13mm x 13mm |
0.65 |
K230D |
LFBGA256 |
11mm x 11mm |
0.65 |
2.1.2 封装尺寸#
K230尺寸#
图2-1
图2-2
图2-3
球形防焊开口：0.270mm
主要基准C和底面是锡球
尺寸b是测量最大锡球直径，平行于主要基准C
K230D尺寸#
图2-4
图2-5
球形防焊开口：0.270mm
主要基准C和底面是锡球
尺寸b是测量最大锡球直径，平行于主要基准C
2.1.3 引脚定义图#
K230引脚分布图如下：
图2-6 K230封装管脚分布
图2-7 K230D封装管脚分布
引脚详情见表K230_PINOUT_V1.2_20240822.xlsx。
3. 原理图设计建议#
3.1. 最小系统设计#
3.1.1 时钟要求#
K230的主系统需要24MHz的高速时钟，PMU子系统的RTC需要32.768kHz的低速时钟。
表3-1是K230允许的时钟源参数。
频点 |
精度 |
电平 |
|---|---|---|
32.768KHz |
20ppm |
1.8V |
24MHz |
20ppm |
1.8V |
建议使用20ppm或精度更高的时钟源提供时钟。
高速时钟#
推荐的无源晶体连接方式如图3-1所示。
图3-1 K230晶体电路
注意：
选用的电容需要与晶振的负载电容匹配，材质建议采用NPO 。
建议选用 4Pin 贴片晶振，2个GND管脚与地充分连接，增强系统时钟抗 ESD 干扰能力。
如若需要提高起振速度，可在IN管脚和OUT管脚间添加1MΩ电阻。
推荐的有源晶振连接方式如图3-2所示。
图3-2 K230有源晶振电路
工作时，晶振输出接到K230的CLK24M_XIN 脚，CLK24M_XOUT脚悬空。
低速时钟#
K230芯片内置了PMU电路，单板需要给PMU电路提供时钟。推荐的电路如图3-3所示。
图3-3 K230 RTC时钟无源晶体电路
推荐的有源晶振连接方式如图3-4所示。
图3-4 K230 RTC时钟有源晶振电路
工作时，晶振输出接到K230的CLK32K768_XIN脚，CLK32K768_XOUT脚悬空。 注意：
在使用有源晶振时,以上各有源晶振电路图中NC处需用0Ω电阻连接。
3.1.2 复位电路#
K230的硬件复位通过引脚RSTN来实现，低电平有效。
如果使用按键复位，建议复位信号引脚增加100nF电容，用来消除复位信号的抖动，增强抗干扰能力，防止误触发导致的系统异常复位。
复位电路示意图如图3-5。
图3-5 K230 复位电路
3.1.3 系统启动引导顺序#
K230芯片提供4种启动方式，可以通过BOOT0和BOOT1引脚来进行相关的配置。 表3-2为不同配置下K230的启动方式。
BOOT0 |
BOOT1 |
K230 |
K230D |
|---|---|---|---|
0 |
0 |
NOR FLASH |
NOR FLASH |
1 |
0 |
NAND FLASH |
NAND FLASH |
0 |
1 |
MMC0 |
MMC0 |
1 |
1 |
MMC1 |
MMC1 |
表3-2 启动方式说明
注意：
四种启动方式都失效时，会跳转到USB/UART启动。
图3-6为推荐的BOOT电路
图3-6 K230 BOOT电路
3.1.4 JTAG Debug电路#
K230芯片推荐的JTAG接口电路如图3-7。
[图3-7 K230 JTAG下载电路
其中，JTAG_TCK、JTAG_TDI、JTAG_TMS和JTAG_RST建议用10kΩ上拉，JTAG_TDO悬空。
K230必须采用平头哥半导体有限公司提供的CKLink系列调试器，否则芯片无法进行调试。
3.1.5 DDR控制器#
K230芯片有K230和K230D两个版本，K230版本需单独设计DDR电路。K230D版本将DDR Die一并进行了封装，无需设计外部DDR电路。 K230 DDR控制器有以下特点：
支持LPDDR3/LPDDR4
支持2 rank
支持16位、32位DDR数据总线位宽
已验证型号：
类型
型号
生产厂商
容量
LPDDR3
NT6CL128M32DM-H0
南亚
4Gb
LPDDR3
RS128M32LD3D1LMZ-125BT
晶存
4Gb
LPDDR4
W66AP6NBUAF/G/HI
华邦
4Gb
LPDDR4
K4F8E304HB-MGCJ
三星
8Gb
K230 DDR PHY和各个DRAM颗粒的原理图必须和参考原理图一致，包括电源去耦电容。
LPDDR3#
LPDDR3的电路设计参考图3-8、图3-9、图3-10和图3-11。
图3-8 K230 LPDDR3电路
图3-9 K230 LPDDR3电源电路
图3-10 LPDDR3颗粒电源电路
图3-11 LPDDR3颗粒电路
在使用LPDDR3时：
DDR PHY和各DRAM颗粒原理图需要和参考设计图一致，包含电源去耦电容
DDR_ZN管脚需要接240Ω（1%）的校准电阻到地
DDR_RESET管脚悬空
芯片已内置DDR控制器的VREF电路，故DDR_VREF管脚需悬空
LP3颗粒的LP3_VREFDQ电压为0.8V，建议使用100Ω和200Ω (1%)的电阻进行分压得出
LP3_VREFCA电压为0.6V，建议使用1kΩ(1%)的电阻分压得出
LP3的CA、CS、CKE、CLK和ODT引脚均需使用100Ω电阻上下拉到DDR_VDDQ_1V2和地
LPDDR4#
LPDDR4的电路设计参考图3-12、图3-13、图3-14、图3-15和图3-16。
图3-12 K230 LPDDR4电路
K230 LPDDR4电源电路
图3-14 K230 LPDDR4参考电压电路 LPDDR4颗粒电路](images/HDG/image026.png)
图3-16 LPDDR4颗粒电源电路
在使用LPDDR4时，注意：
DDR PHY和各DRAM颗粒原理图需要和参考设计图一致，包含电源去耦电容
DDR_ZN管脚需要接240Ω（1%）的校准电阻到地
RESRT_N管脚直连到颗粒对应管脚
K230使用LPDDR4颗粒时，VREF电压为0.6V，建议使用1kΩ(1%)电阻分压
K230D DDR模块#
K230D已内置DDR Die，因此连接参考电压和校准电阻即可。 参考电路如图3-17和图3-18
图3-17 K230D DDR外围电路
图3-18 K230D DDR参考电压
在使用K230D的DDR模块时，注意：
VREF电压为0.55V，建议使用100Ω(1%)电阻分压
校准电阻选用240Ω(1%)
3.1.6 FLASH#
K230带有OSPI/QSPI控制器，可用来连接FLASH存储芯片，其有以下特点：
OSPI支持4/8bit模式的NOR FLASH
OSPI最高支持DDR200,SDR166的NOR FLASH
QSPI支持1/2/4 bit模式的NAND&NOR FLASH
QSPI最高支持SDR100的NOR FLASH
OSPI#
OSPI参考原理图如图3-19和图3-20
图3-19 K230 OSPI电路
图3-20 OSPI FLASH电路
请根据FLASH芯片的要求放置上拉电阻。
QSPI NOR#
QSPI信号中,CS、CLK、D0、D1、D2和D3信号的管脚与OSPI对应信号的管脚复用，如表3-3
QSPI管脚 |
OSPI管脚 |
|---|---|
QSPI_CS |
OSPI_CS |
QSPI_CLK |
OSPI_CLK |
QSPI_D0 |
OSPI_D0 |
QSPI_D1 |
OSPI_D1 |
QSPI_D2 |
OSPI_D2 |
QSPI_D3 |
OSPI_D3 |
表3-3 QSPI与OSPI对应管脚
参考电路如图3-21
图3-21 QSPI NOR FLASH芯片电路
请根据FLASH芯片的要求放置上拉电阻。
QSPI NAND#
QSPI NAND的参考电路如图3-22。
图3-22 QSPI NAND FLASH芯片电路
请根据FLASH芯片的要求放置上拉电阻。
3.2. MMC电路#
K230 eMMC 控制电路拥有两个控制器MMC0和MMC1。
MMC0#
MMC0控制器有以下特点：
支持SDIO3.0，工作于4/1-bits mode，最高支持SDR104
支持eMMC5.0工作于8/4/1-bits mode，支持HS200
支持SD卡所需3.3V和1.8V电压的转换
MMC0功能较全，一般用于控制eMMC电路。 eMMC推荐参考电路如图3-23和图3-24。
图3-23 K230 eMMC电路
图3-24 eMMC颗粒电路
请按照eMMC厂家要求连接对应管脚。如无特殊要求，直连对应管脚即可。
MMC1#
MMC1控制器有以下特点：
支持SDIO3.0，工作于4/1-bits mode，最高支持SDR104
支持SD卡所需3.3V和1.8V电压的转换
MMC1接口性能和管脚数量无法满足控制eMMC电路的要求，只能用于控制SD/TF卡电路。 参考原理图如图3-25、图3-26和图3-27。
图3-25 K230 SD卡接口电路
图3-26 SD卡上拉电路
图3-27 SD卡卡座电路
SD卡电路设计时需注意：
SD卡引脚的电压去耦电容不得删减，要靠近卡座放置
各信号在SD卡座附近均需放置ESD器件
各信号均需上拉电阻
推荐根据参考电路进行设计
3.3. USB电路#
K230芯片内置两个USB2.0 OTG控制器，控制器有以下特点：
支持USB2.0协议，向下兼容USB 1.1 协议
支持Host模式或者Device模式，可选支持动态切换
Host模式支持480Mbps,12Mbps,1.5Mbps 传输速率
Device模式支持480Mbps,12Mbps传输模式
USB电路参考原理图如图3-28和图3-29.
图3-28 K230 USB电路
图3-29 USB接口电路
注意：
各信号在USB座附近均需放置ESD器件
K230的USB_VBUS电源，必须串联30kΩ(1%)电阻到5V电源，不能直接连接电源
为保证信号质量，K230的USB_TXRTUNE管脚必须接200Ω(1%)电阻到地
USB_ID可用于OTG设备的身份识别，其接地时，K230作为HOST端，其浮空或拉高时，K230作SLAVE端
3.4. 音频电路#
3.4.1 I2S#
K230芯片有一个I2S控制器，其有以下特点：
拥有两路输入和输出
支持PHILIP I2S标准
支持左右、PCM格式
同步工作模式
主或从模式可选
可调接口电压
采样速率8k到384kHz
I2S接口拥有3个引脚分别是I2S_CLK、I2S_WS和I2S_SD。
I2S_CK是串行时钟信号，I2S_WS是数据帧控制信号， I2S_SD是串行数据信号。
I2S接口通常用于连接解码器等音频外设。
图3-30和图3-31为K230 I2S接口电路和部分外设电路。
图3-30 K230 I2S接口电路
图3-31 K230 I2S参考外设
3.4.2 PDM#
K230支持4路PDM信号输入。采样速率从8k到384kHz。
PDM接口通常用于接入数字麦克风等具有PDM接口的音频设备。
图3-32为K230的PDM外设电路。
图3-32 K230 PDM外设电路
3.4.3 模拟音频接口#
K230芯片的模拟音频部分有以下特点：
支持2路DAC和2路ADC
DAC支持差分输出和单端输出，ADC支持差分输入和单端输入
支持低噪声模拟麦克风偏置输出
模拟音频的参考电路如图3-33和图3-34
图3-33 K230 模拟音频接口电路
图3-34 音频接口电路
注意，为获得更好的音质，建议考虑使用以下措施：
电源引脚同时使用大容量和小容量的低ESR陶瓷电容
MICBIAS管脚需要放置大容量低ESR电容
音频输入的隔直电容靠近K230芯片放置
输出管脚需要放置滤波电路或隔直电容
3.5. 视频电路#
3.5.1 MIPI DSI#
K230的MIPI DSI控制器有以下特点：
支持1路信号输出
支持1/2/4lane 模式
最高速率可达1.5Gbps
MIPI DSI各信号均直连。 参考硬件设计如图3-35和图3-36
图3-35 K230 MIPI DSI接口电路
图3-36 屏幕接口电路
注意：
MIPI_ATB引脚必须浮空
MIPI_REXT引脚必须接200Ω(1%)电阻到地
该连接器电路各引脚仅适配今朝辉屏幕，请根据自有屏幕模组设计电路
3.6. 摄像头电路#
3.6.1 MIPI CSI#
K230的MIPI CSI控制器有以下特点：
最高支持3路MIPI信号输入，支持1/2/4lane 模式
最高可配置为3路2lane信号输入或1路4lane、1路2lane信号输入
最高速率可达1.5Gbps
MIPI CSI信号推荐直连。
参考硬件设计如图3-37和图3-38
图3-37 K230 MIPI CSI接口电路
图3-38 摄像头连接器电路
注意：
该连接器电路仅供内部测试使用，实际使用请根据需要自行设计电路
3.7. 低速子系统电路#
3.7.1 I2C电路#
K230芯片支持5路I2C接口，具有以下功能：
支持I2C总线主模式
支持7/10 bit地址
支持I2C速率最高到3.4Mbit/s
在使用I2C外设时，需要注意对应电源域供电，必须保持一致。 I2C信号的SCL和SDA需要外接上拉电阻，根据总线负载和总线速率的不同，选择不同阻值的电阻。
在不大于400kb/s的系统中，推荐阻值为4.7kΩ；
在大于400kb/s小于3.4Mb/s的系统中，推荐上拉电阻为2.2 kΩ。
3.7.2 UART电路#
K230支持5路UART信号，其具有以下特点：
支持2线UART和4线UART
支持RS485接口
支持波特率最高可达3.125M
支持软硬件流控，符合16750标准
支持IrDA 1.0 SIR接收
在使用UART外设时，需要注意对应电源域供电，必须保持一致。
3.7.3 PWM电路#
K230支持6路PWM信号，其有以下特点：
支持任意占空比
支持输出波形可编程
支持产生周期性的脉冲信号和一次性的脉冲信号
可作为周期精确的中断发生器
支持输出毛刺消除
3.7.4 MCLK电路#
K230支持输出3路MCLK信号。该信号可作为摄像头的驱动时钟。 支持输出时钟频率如表3-4：
792 |
132 |
66.67 |
46.59 |
36 |
28.57 |
23.76 |
18.56 |
594 |
118.8 |
66 |
45.69 |
34.94 |
28.29 |
23.53 |
18.18 |
400 |
113.14 |
66 |
44.44 |
34.43 |
28.29 |
22.85 |
17.39 |
396 |
100 |
60.92 |
44 |
33.33 |
27.31 |
22.22 |
16.67 |
297 |
99 |
59.4 |
42.43 |
33 |
27 |
22 |
16 |
264 |
99 |
57.14 |
41.68 |
33 |
26.67 |
21.21 |
15.38 |
200 |
88 |
56.57 |
40 |
31.68 |
26.4 |
21.05 |
14.81 |
198 |
84.86 |
54 |
39.6 |
31.26 |
25.83 |
20.48 |
14.29 |
198 |
80 |
52.8 |
39.6 |
30.77 |
25.55 |
20 |
13.79 |
158.4 |
79.2 |
50 |
37.71 |
30.46 |
25 |
19.8 |
13.33 |
148.5 |
74.25 |
49.5 |
37.13 |
29.7 |
24.75 |
19.16 |
12.9 |
133.33 |
72 |
49.5 |
36.36 |
29.33 |
24.75 |
19.05 |
12.5 |
表3-4 MCLK输出时钟频率（单位：MHz）
3.7.5 ADC电路#
K230集成了一个分辨率为11bit（有效分辨率）的SARADC，最高采样率不小于1MHz。 其有以下特点：
信号输入范围：0-1.8V
支持6个通道输入
支持单次采样和连续采样
内部集成信号调理电路，截止频率在1/2带宽处。ADC可直接进行信号采样，或按需进行外围电路设计
3.7.6 PMU电路#
K230的PMU模块用于控制管理芯片内部和外部电源。 其内置RTC电路，支持6路输入。其功能如表:
中断源 |
沿触发 |
电平触发 |
去抖动 |
边沿数量检测 |
长短按检测 |
|---|---|---|---|---|---|
INT_0 |
支持 |
支持 |
支持 |
- |
支持 |
INT_1 |
支持 |
支持 |
支持 |
支持 |
- |
INT_2 |
支持 |
支持 |
- |
- |
- |
INT_3 |
支持 |
支持 |
- |
- |
- |
INT_4 |
- |
支持 |
- |
- |
- |
INT_5 |
- |
支持 |
- |
- |
- |
支持两路输出OUT0和OUT1，可用于使能电源。 在冷启动状态，PMU仅使能了INT0的长按中断和INT4的高电平输入中断，作为PMU模块启动的触发源。OUT0和OUT1默认输出低电平，初始下拉电阻约为40Ω。 在收到以上两种中断之一时，OUT0拉高，OUT1约50ms后拉高。 OUT0和OUT1可用于控制外部PMIC的使能管脚或用于其他用途。
3.8. 电源设计#
3.8.1 K230电源需求#
模块 |
电源管脚 |
描述 |
|---|---|---|
CORE |
VDD0P8_CORE |
CPU0和其他单元电源 |
CPU |
VDD0P8_CPU |
CPU1电源 |
KPU |
VDD0P8_KPU |
KPU电源 |
DDR控制器 |
VDD0P8_DDR_CORE |
DDR的数字CORE电源,可掉电 |
VDD1P1_DDR_IO |
DDR的IO电源 |
|
VAA_DDR |
DDR锁相环电源 |
|
USB |
AVDD3P3_USB |
USB PHY使用的3.3V电源，不使用时可不上电 |
AVDD1P8_USB |
USB PHY使用的1.8V电源，不使用时可不上电 |
|
PLL |
AVDD0P8_PLL |
PLL电源 |
MIPI |
AVDD0P8_MIPI |
MIPI 0.8V电源，不使用时可不上电 |
AVDD1P8_MIPI |
MIPI 1.8V电源，不使用时可不上电 |
|
VDD1P8 |
VDD1P8 |
1.8V模块电源 |
ADC |
AVDD1P8_ADC |
ADC电源，不使用时可不上电 |
CODEC |
AVDD1P8_CODEC |
CODEC电源，不使用时可不上电 |
PMU |
AVDD1P8_RTC |
PMU内置RTC电源，不使用时可不上电 |
AVDD1P8_LDO |
PMU内置LDO电源，不使用时可不上电 |
|
MMC |
VDD3P3_SD |
3.3V输出buffer和pre-buffer I/O电源，不使用时可不上电 |
IO |
VDDIO3P3_0 |
IO_2-IO_13电源，电压可选择1.8V或3.3V，不使用时可不上电 |
VDDIO3P3_1 |
IO_14-IO_25电源，电压可选择1.8V或3.3V，不使用时可不上电 |
|
VDDIO3P3_2 |
IO_26-IO_37电源，电压可选择1.8V或3.3V，不使用时可不上电 |
|
VDDIO3P3_3 |
IO_38-IO_49电源，电压可选择1.8V或3.3V，不使用时可不上电 |
|
VDDIO3P3_4 |
IO_50-IO_61电源，电压可选择1.8V或3.3V，不使用时可不上电 |
|
VDDIO3P3_5 |
IO_62-IO_63电源，电压可选择1.8V或3.3V，不使用时可不上电 |
|
K230D DDR部分 |
VDD1P8_DDR_VDD1 |
K230D中DDR颗粒电源，K230没有此管脚 |
VDD1P1_DDR_VDD2 |
K230D中DDR颗粒电源，K230没有此管脚，不可掉电 |
|
VDD1P1_DDR_VDDQ |
K230D中DDR颗粒电源，K230没有此管脚，可掉电 |
表3-6 K230电源需求表
3.8.2 上电时序#
VDD0P8_CORE上电必须早于VDD1P8、VDDIO3P3_0到VDDIO3P3_5的IO接口上电，AVDD0P8_MIPI上电必须早于AVDD1P8_MIPI，AVDD1P8_RTC不晚于AVDD1P8_LDO，其余顺序无要求。
3.8.3 电源设计建议#
PMU#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
PMU |
AVDD1P8_RTC |
1.674 |
1.8 |
1.98 |
10 |
建议使用LDO供电 |
AVDD1P8_LDO |
1.674 |
1.8 |
1.98 |
10 |
建议使用LDO供电 |
核心模块#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
CORE |
VDD0P8_CORE |
0.72 |
0.8 |
0.88 |
2250 |
建议使用供电能力不小于3A，纹波噪声较低的DC/DC |
CPU |
VDD0P8_CPU |
0.72 |
0.8 |
0.88 |
1000 |
建议使用供电能力不小于2A，纹波噪声较低的DC/DC |
KPU |
VDD0P8_KPU |
0.72 |
0.8 |
0.88 |
3000 |
建议使用供电能力不小于4A，纹波噪声较低的DC/DC |
DDR#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
DDR |
VDD0P8_DDR_CORE |
0.744 |
0.8 |
0.88 |
400 |
电源纹波要求在4%以内，建议使用可输出大电流的低噪声LDO |
VDD1P1_DDR_IO(LPDDR4) |
1.06 |
1.1 |
1.17 |
800 |
LP4纹波要求5%以内，建议使用可输出大电流的低噪声LDO |
|
VDD1P1_DDR_IO(LPDDR3) |
1.14 |
1.2 |
1.3 |
800 |
LP3纹波要求10%以内，建议使用可输出大电流的低噪声LDO |
|
VAA_DDR |
1.674 |
1.8 |
1.98 |
10 |
纹波要求在典型电压5%以内 |
K230D DDR Die#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
K230D DDR die |
VDD1P8_DDR_VDD1 |
1.7 |
1.8 |
1.95 |
75 |
纹波要求在典型电压5%以内，与DDR控制器电源在同一电源网络 |
VDD1P1_DDR_VDD2 |
1.06 |
1.1 |
1.17 |
450 |
与VDD1P1_DDR_IO在同一电源网络 |
|
VDD1P1_DDR_VDDQ |
1.06 |
1.1 |
1.17 |
300 |
建议使用可输出大电流的低噪声LDO |
I/O#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
IO |
VDDIO3P3_0 |
1.62/2.97 |
1.8/3.3 |
1.98/3.63 |
50 |
IO单元共有5组电压,均可配置为1.8V或3.3V，每组电压控制了该组I/O口的输出电压和输入电压，也控制I/O复用后功能的输出电压和输入电压。IO电压请与所需连接的外设保持一致，如不一致则需进行电平转换。 |
VDDIO3P3_1 |
1.62/2.97 |
1.8/3.3 |
1.98/3.63 |
50 |
||
VDDIO3P3_2 |
1.62/2.97 |
1.8/3.3 |
1.98/3.63 |
50 |
||
VDDIO3P3_3 |
1.62/2.97 |
1.8/3.3 |
1.98/3.63 |
50 |
||
VDDIO3P3_4 |
1.62/2.97 |
1.8/3.3 |
1.98/3.63 |
50 |
||
VDDIO3P3_5 |
1.62/2.97 |
1.8/3.3 |
1.98/3.63 |
50 |
USB#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
USB |
AVDD3P3_USB |
3.07 |
3.3 |
3.63 |
50 |
建议使用LDO进行供电 |
AVDD1P8_USB |
1.674 |
1.8 |
1.98 |
60 |
建议使用LDO进行供电 |
PLL#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
PLL |
AVDD0P8_PLL |
0.72 |
0.8 |
0.88 |
120 |
建议使用高精度LDO进行供电 |
MIPI#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
MIPI |
AVDD0P8_MIPI |
0.744 |
0.8 |
0.88 |
100 |
建议使用LDO进行供电 |
AVDD1P8_MIPI |
1.674 |
1.8 |
1.98 |
30 |
建议使用LDO进行供电 |
ADC#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
ADC |
AVDD1P8_ADC |
1.62 |
1.8 |
1.98 |
10 |
建议使用高精度LDO进行供电 |
CODEC#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
CODEC |
AVDD1P8_CODEC |
1.62 |
1.8 |
1.98 |
100 |
建议使用高精度LDO进行供电 |
其他#
模块名称 |
管脚 |
最小电压(V) |
典型电压 (V) |
最大电压(V) |
电流 (mA) |
注意事项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
其他 |
VDD3P3_SD |
2.7 |
3.3 |
3.63 |
50 |
|
VDD1P8 |
1.62 |
1.8 |
1.98 |
500 |
注意：
对于K230需要使用的DDR颗粒，电源需与主芯片电源在同一电源网络。
在满足电压精度要求和电流要求的情况下，电压要求相同的模块可使用同一电压源。对于精度要求不高的场合，ADC等模拟模块也可在隔离后接入数字模块所使用的的电源。
K230内部集成DDR_Vref电源给芯片DDR控制器，对于外部颗粒，LPDDR3的VREF电源参考设计如图3-39
图3-39 LPDDR3颗粒Vref电路
分压电阻建议使用精度为±1%的电阻。 LPDDR4的外部颗粒VREF电源参考设计如图3-40。
图3-40 LPDDR4颗粒Vref电路
K230D的DDR模块VREF电源参考设计如图3-41
图3-41 K230D版本DDR Vref电路
3.8.4 动态调压#
K230的CPU和KPU电源支持动态调压，以确保同时满足高性能和低功耗的需求。 CPU的可调电压节点如表3-7
电压节点 |
电压(V) |
|---|---|
V_typical |
0.8 |
V_high |
0.9 |
V_ultrahigh |
1.0 |
V_low |
0.7 |
V_retention |
0.48 |
表3-8 CPU可调电压节点
其中，V_retention是针对DDR retention功能的电压节点。 KPU的可调电压节点如表3-8
电压节点 |
电压(V) |
|---|---|
V_typical |
0.8 |
V_high |
0.9 |
V_ultrahigh |
1.0 |
V_low |
0.7 |
表3-9 KPU可调电压节点
4. PCB设计建议#
4.1高速PCB设计建议#
4.1.1 DDR设计#
阻抗控制：DDR单线50Ω，差分（时钟clk，数据dqs）100Ω； 串扰要求：遵循3W原则 等长要求：同类型信号线经过过孔数量保持一致,过孔换层不要超过2次； 芯片内部DDR走线长度如表4-1，在PCB走线时务必考虑，保证内外走线之和满足等长要求。 PCB设计强烈建议参考K230 EVB的设计，包括走线和电容的选型及摆放。
管脚编号 |
管脚名称 |
长度(μm) |
长度(mil) |
|---|---|---|---|
N17 |
DDR_CKE0_CKEA0 |
3725.8 |
146.8 |
P18 |
DDR_CKE1_CKEA1 |
4338.56 |
170.94 |
T20 |
DDR_CS0_CSA0 |
5839.03 |
230.06 |
T19 |
DDR_CS1_CSA1 |
5528.07 |
217.81 |
R19 |
DDR_CKP_CKAP |
6252.24 |
246.34 |
R20 |
DDR_CKN_CKAN |
6050.13 |
238.38 |
P19 |
DDR_CA9_CAA5 |
5809.3 |
228.89 |
M18 |
DDR_CA8_CAA4 |
4033.87 |
158.93 |
N20 |
DDR_CA7_CAA3 |
4888.23 |
192.6 |
N19 |
DDR_CA6_CAA2 |
4415.08 |
173.95 |
L16 |
DDR_CA5_CAA1 |
2171.4 |
85.55 |
M19 |
DDR_CA4_CAA0 |
4599.65 |
181.23 |
L17 |
DDR_CA3_NC |
2258.98 |
89 |
M20 |
DDR_CA2_NC |
4190.42 |
165.1 |
L20 |
DDR_CA1_NC |
5108.55 |
201.28 |
K20 |
DDR_CA0_NC |
4832.33 |
190.39 |
L18 |
DDR_ODT_NC |
3849.11 |
151.65 |
J18 |
DDR_NC_CKEB0 |
2599.43 |
102.42 |
J17 |
DDR_NC_CKEB1 |
2792.84 |
110.04 |
J19 |
DDR_NC_CSB1 |
4018.49 |
158.33 |
J20 |
DDR_NC_CSB0 |
4941.35 |
194.69 |
G20 |
DDR_NC_CLKBP |
5403.63 |
212.9 |
F20 |
DDR_NC_CLKBN |
5418.33 |
213.48 |
E20 |
DDR_NC_CAB0 |
5468.25 |
215.45 |
G19 |
DDR_NC_CAB1 |
4067.91 |
160.28 |
G18 |
DDR_NC_CAB2 |
3807.29 |
150.01 |
H17 |
DDR_NC_CAB3 |
3113.45 |
122.67 |
F17 |
DDR_NC_CAB4 |
2757.73 |
108.65 |
F19 |
DDR_NC_CAB5 |
4558.27 |
179.6 |
U17 |
DDR_DQ24_DQA7 |
4829.45 |
190.28 |
Y18 |
DDR_DQ25_DQA6 |
6467.43 |
254.82 |
V18 |
DDR_DQ26_DQA5 |
5047.5 |
198.87 |
W18 |
DDR_DQ27_DQA4 |
5267.44 |
207.54 |
Y16 |
DDR_DQ28_DQA3 |
5846.86 |
230.37 |
V16 |
DDR_DQ29_DQA2 |
4311.64 |
169.88 |
T16 |
DDR_DQ30_DQA1 |
3576.39 |
140.91 |
U16 |
DDR_DQ31_DQA0 |
3132.83 |
123.43 |
V17 |
DDR_DM3_DMIA0 |
4110.44 |
161.95 |
W17 |
DDR_DQS3P_DQSA0P |
6342.48 |
249.89 |
Y17 |
DDR_DQS3N_DQSA0N |
6135.17 |
241.73 |
R17 |
DDR_DQ8_DQA8 |
4018.24 |
158.32 |
T18 |
DDR_DQ9_DQA9 |
5760.1 |
226.95 |
R18 |
DDR_DQ10_DQA10 |
4540.62 |
178.9 |
U20 |
DDR_DQ11_DQA11 |
5625.11 |
221.63 |
W19 |
DDR_DQ12_DQA12 |
6897.92 |
271.78 |
U18 |
DDR_DQ13_DQA13 |
4908.14 |
193.38 |
P16 |
DDR_DQ14_DQA14 |
2036.92 |
80.25 |
T17 |
DDR_DQ15_DQA15 |
4492.07 |
176.99 |
P17 |
DDR_DM1_DMIA1 |
4129.14 |
162.69 |
V20 |
DDR_DQS1P_DQSA1P |
7005.11 |
276 |
V19 |
DDR_DQS1N_DQSA1N |
6768.98 |
266.7 |
C17 |
DDR_DQ0_DQB15 |
4038.16 |
159.1 |
D16 |
DDR_DQ1_DQB14 |
3663.33 |
144.34 |
D17 |
DDR_DQ2_DQB13 |
4242.29 |
167.15 |
C18 |
DDR_DQ3_DQB12 |
5598.19 |
220.57 |
E18 |
DDR_DQ4_DQB11 |
3830.51 |
150.92 |
E17 |
DDR_DQ5_DQB10 |
4273.06 |
168.36 |
B19 |
DDR_DQ6_DQB9 |
6879.01 |
271.03 |
C19 |
DDR_DQ7_DQB8 |
6640.84 |
261.65 |
D18 |
DDR_DM0_DMIB0 |
5275.38 |
207.85 |
B18 |
DDR_DQS0P_DQSB1P |
6516.79 |
256.76 |
A18 |
DDR_DQS0N_DQSB1N |
6628.66 |
261.17 |
C14 |
DDR_DQ16_DQB0 |
2966.98 |
116.9 |
D14 |
DDR_DQ17_DQB1 |
2708.03 |
106.7 |
B14 |
DDR_DQ18_DQB2 |
4486.79 |
176.78 |
A14 |
DDR_DQ19_DQB3 |
5608.52 |
220.98 |
A17 |
DDR_DQ20_DQB4 |
5037.71 |
198.49 |
B16 |
DDR_DQ21_DQB5 |
4419.48 |
174.13 |
C16 |
DDR_DQ22_DQB6 |
4381.95 |
172.65 |
B17 |
DDR_DQ23_DQB7 |
5515.88 |
217.33 |
C15 |
DDR_DM2_DMIB1 |
4509.87 |
177.69 |
B15 |
DDR_DQS2P_DQSB1P |
4623.9 |
182.18 |
A15 |
DDR_DQS2N_DQSB1N |
4942.59 |
194.74 |
表4-1 芯片内部DDR走线长度
LPDDR3 byte组内DQ可以swap，byte之间不支持DQ swap, byte和byte不支持swap。 LPDDR4 byte组内DQ可以swap，byte之间不支持DQ swap, channel 组内byte和byte支持swap。
建议按照EVB swap顺序进行布线，自行设计时如果修改了swap，需要调整ddr traing代码，请提前联系FAE。
图4-1 DDR布线间距设计规则
图4-2和图4-3分别为LPDDR3和LPDDR4布线时的等长设计要求，为了能稳定运行较高的速率，推荐按照Recommended Routed Skew Limits列的要求进行设计。
LPDDR3部分#
图4-2 LPDDR3布线等长设计规则
LPDDR4部分#
图4-3 LPDDR4布线等长设计规则
4.1.2 USB2.0设计#
阻抗控制：差分90Ω。
差分对内skew不超过4ps,最大允许过孔数量不超过6个。
4.1.3 MIPI设计#
阻抗控制：MIPI_DSI差分100Ω，MIPI_CSI差分100Ω
线对之内等长控制在0.3mm。